量产10nm DRAM芯片 三星平泽第二条存储生产线启动

作者:贾桂鹏 来源:原创 2020-08-31

  近日,据外媒报道,三星电子平泽工厂的第二生产线正式开工,首发量产的产品是采用极紫外光刻技术制造的16Gb LPDDR5移动DRAM芯片。

量产10nm DRAM芯片 三星平泽第二条存储工厂启动

  三星电子表示,平泽工厂第二生产线从2018年1月开始建设,其建筑面积为12.89万平方米,相当于16个足球场,是目前全球最大规模的半导体生产线。另外,三星已经开始在平泽市建设一个主力产出5nm EUV芯片的工厂。

  据了解,平泽工厂第二生产线本次投放的16Gb LPDDR5移动DRAM是第三代的10nm LPDDR5产品,性能也超过了以往的任何产品。

  据介绍,16Gb LPDDR5移动DRAM可以仅由8颗芯片构成16Gb的产品,相较于此前产品在封装厚度上减少30%。在多摄像头、5G等零部件较多的智能手机,以及折叠屏手机等对于厚度要求比较严格的产品来说,是不错的解决方案。

  三星电子希望向全球智能手机厂商提供全新一代DRAM产品,并且计划抢占明年5G、AI功能的旗舰手机市场。同时,三星电子还将会提供耐高温性能的产品,有望将供货范围进一步扩大至汽车电装用途。

  据悉,平泽工厂第二生产线首先可以实现DRAM的产品,随后,将会计划生产全新一代的VNAND、超精细晶圆代工产品等等。

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