月产能达20万片 国家存储器基地项目二期在武汉开工

作者:贾桂鹏 来源:原创 2020-06-22

  近日,国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工,据悉,国家存储器基地的项目是由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,这项目计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。

月产能超过20万片 国家存储器基地项目二期在武汉开工

  据了解,国家存储器基地项目一期于2016年底开工建设,目前,32层、64层存储芯片产品已经实现了稳定的量产,并且成功研制出了全球首款128层QLC三维闪存芯片。

  该项目中计分两期建设3D NAND闪存芯片工厂,总投资额达到240亿美元。

  这在之中,国家存储器基地项目一期主要将会实现技术头破,并且建成10万片/月产能,二期则规划了20万片/月的产能,在两期同时稳定量产之后,国家存储器基地项目月产能将会超过30万片/月。

  存储器是信息系统的基础核心芯片,它能代表集成电路产业规模经济效益和现金的制造工艺,在近年来,内存、SSD、显卡价格数次上涨,此次,国家存储器基地项目二期,将会有效的降低国内半导体产品的成本同时,并促进国内半导体进一步的发展。

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