致力于提升160层闪存芯片良率 三星成立专家小组

作者:贾桂鹏 来源:原创 2020-06-18

  在去年,三星开始量产128层的第六代NAND闪存芯片之后,他们就致力于研发160层NAND闪存芯片,近日,据外媒报道,三星已经成立了一个专家组,主要为了提高160层NAND闪存芯片的生产良率。

致力于提升160层闪存芯片良率 三星成立专家小组

  据悉,这个专家组成员,全部是来自于三星设备解决方案制造技术中心的专家,以及负责NAND闪存生产的高管,该小组将会解决在闪讯芯片生产过程中出现的任何问题,并且提高整个流程生产的效率。

  目前,在128层V-NAND闪存芯片生产方面,三星正在面临着Intel和长江存储等公司的竞争,因此,三星电子希望他们可以确保工艺在行业内领先,并且进一步提升良率,而且,据了解,三星还在进行投资,将内存芯片的产能进一步提升。

  三星目前采用的制造技术是通道孔蚀刻技术,由上至下穿孔叠加128层,这提供了层与层之间的电连接,层数越高时,内存的容量也越大。

  在与穿透96层NAND闪存芯片相比,穿透128层NAND闪存芯片所需要的时间是其两倍,目前,三星的任务是将客服尽可能多的限制,形成更强大的技术壁垒。

  据悉,这也是三星“Super Gap”计划中的重要一环,他们希望通过巨大的技术优势,让竞争者物理追赶。

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