2021年量产5nm芯片 三星计划投资8万亿韩元建设NAND闪存产线

作者:贾桂鹏 来源:原创 2020-06-02

  近日,据外媒报道,三星电子表示,他们计划将会投资8万亿韩元(约合人民币463.9亿元)在韩国平泽工业园建立NAND闪存的生产线。

2021年量产5nm芯片 三星计划投资8万亿韩元建设NAND闪存产线

  目前,该生产线的建设已经于上个月开始,预计在2021年下半年开始量产三星最先进的V-NAND产品。

  此外,三星电子还表示,此次的投资旨在应对人工智能、物联网等引领的第四次工业革命,而且5G的普及也将会对于NAND闪存有极大的需求量。

  在上月,三星电子已经在平泽投建生产线,在新产线上将专注于基于极紫外光刻技术的5nm及以下工艺制程,而随着新产线建设,预计到明年下半年三星将会开始量产5nm芯片。现在,加上这条平泽生产线,在韩国三星已经拥有7条芯片制造产线。

  在去年4月份,三星曾经提出过“半导体愿景2030”,他们计划在2030年对于系统芯片的研发和生产技术领域投资133万亿韩元(约合人民币7658亿元)。

  目前,随着台积电5nm芯片已经开始量产,面对这一形式,三星已经稍显落后,所以,这次他们在平泽建厂,对于5nm工艺生产将会起到至关重要的作用,而2021年,他们有望在制程方面追上台积电。

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