大容量+3D能否冲击企业级闪存市场？

　　自两年前，宝存科技对外发布当时全球最大容量6.4TB 的PCIe固态闪存卡，引领了新一轮的闪存技术创新热潮之后，宝存科技又在近日带给业内一波新力，发布了12.8TBPCIe固态闪存卡。可以说，宝存这一举动正是看到了移动设备和云计算的迅猛普及，导致创建、访问、存储的数据量激增的现状。

　　面对需求扩大战队

　　确实，新的需求推动了当今的计算格局不断变化。为了应对这种变化，企业正在将存储从SAN和基于帧的阵列剥离，转而投向基于服务器的存储作为解决方案。如今，很多领先的超大互联网公司已经采用了基于服务器的存储，他们的数据中心部署了大量的拥有更高性能的闪存存储介质，这让他们能够随时随地的快速访问全球数据并获得出色的体验。

　　面向多元化的市场需求，宝存科技也享用多样化企业级SSD市场策略破局。为了应对不同用户场景在对闪存性能、容量、可靠性等方面不同程度的需求，最大化降低企业的总体拥有成本，面向当前更为广泛的用户市场以及更多场景的应用需求，也扩充了自己的产品线：包括：Direct-IO PCIe Flash-G4I ，Direct-IO PCIe FlashU.2，Shannon Hyper-IO NVMe SSD。最重要的是三款闪存新品皆采用了业界最先进的3D NAND技术。与此同时，宝存凭借其极高的控制器的生产水平和长期自主研发原生PCIE的优势，完美解决了3D NAND相较平面NAND更容易出现的电子泄露问题。

　　3D+高容量能否打开新格局

　　据宝存科技项目经理林定宽介绍：“宝存科技的Direct-IOTM PCIe Flash和NVMe都是遵循PCIe标准的高速存储设备。相比Direct-IOTM PCIe Flash基于标准PCIe的高度可定制化架构，宝存科技的NVMe会拥有更好通用性，并且在中小容量段更有应用的优势。而此款遵循NVMe标准的PCIe Flash产品预计于今年八月推出。第三种就是最新发布的企业级SATA SSD，定位于灵活容量和稳定的性能、可靠性，宝存科技首款企业级 Shannon Hyper-IO SATA Flash提供480G和960G两种容量供客户选择，另外在读写和延迟方面，S3C系列产品随机读/写IOPS达到74,000 /69,000，顺序读写性能高达530/420MB/s，并且随机读写延迟低至96/27μs。值得注意的是，该产品在功耗和数据保护特性方面做了增强，以期产品在SATA SSD市场竞争中显示出差异化优势。容量方面，实现了PCIe SSD单卡可扩展至12.8T，U.2 SSD单卡可扩展至9.6T的全球最大单卡容量。”

　　最为显眼的是，此次推出的NVMe SSD产品还将采用宝存自己深度化定制的ASIC NVMe 控制器，以及新的接口标准和新的容量高度等，全面拓宽其现有应用场景。实际上，为提升存储容量，传统平面NAND的制程工艺已从最初的50nm发展到今天的9/10nm，虽然存储密度一再增加，却已基本到达制程工艺的物理极限。然而3D闪存则不同，它使用了3D NAND立体空间堆叠技术，提供比现有2D闪存更大的存储空间，且(每单位容量)成本比现有2D NAND更低。另一方面，由于3D NAND无需再通过升级制程工艺、缩小cell单元来增加容量密度，其可靠性和性能也更出色。目前业内普遍存在的3D NAND堆栈层数已经达到32-48层，厂商们还在持续研发更高层数的堆栈技术。

　　而这一次，美光科技作为宝存的合作伙伴也首次路面，讲解了众多关于3D NAND技术的优势，并指出当3D NAND 技术达到100层堆叠时将遇到成本的拐点，因此其成本优化空间非常巨大。而宝存也将基于3D NAND技术更新其现有产品，并表示在一个季度后升级宝存的6.4T旗舰产品至12.8T，更将于2017年推出单卡容量25T以上的产品。

　　显然，作为一家注册在中国的闪存科技公司，宝存拥有绝对的核心技术，并将保持独立运营，研发核心都将位于大陆，在国产化的发展方向上，宝存将加强与中国本地化的产业链合作，与包括本土的服务器厂商、系统集成商和软件开发商在内的生态伙伴紧密合作。而对于未来闪存技术和行业发展的趋势，阳学仕认为，3D NAND技术将成为闪存数据中心的未来。3D NAND突破了传统NAND制程工艺的瓶颈，转向堆叠的思路实现了更多的NAND层数。这让闪存在容量、性能、可靠性上达到了新层次的平衡。

　　可以预见，在宝存未来的产品路线规划中，基于3D NAND的产品将成为企打开市场并拓展新领域的关键。