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三星发布8G相变存储芯片工艺达20nm

发布时间:2011-12-08 22:14:00 来源:论坛 作者:存储在线
关键字:ibm 存储 三星

  三星在新型PCM相变存储领域的研究试图和IBM一较高下,PCM作为下一代存储的热门领域,有望取代目前普遍应用的闪存。今年7月份IBM展示的 90nm制程工艺的PCM芯片,比闪存快约100倍。而近日三星宣布将在明年发布的8G相变存储芯片,制程工艺则更进一步达到20nm。

  三星PCM

  据了解,三星公司将在明年2月举行的2012年国际固态电路会议(ISSCC)上发布20nm的PCM相变存储芯片元件,相比于今年2月发布的PCM芯片,制程工艺从58nm提升到了20nm,而且大小从1G增大到8G。

 


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