企业采购风云

导语:在过去十年中,CPU性能增长了8~10倍;内存性能增长了7~9倍;网络速度增长了100倍;总线性能增长了20倍。但是,在过去十年中磁盘性能增长了1.2倍。存储成为了数据中心性能提升的一大瓶颈,闪存的出现补齐了存储短板,全闪存阵列也逐渐成为了众多数据中心中的Tie1存储。

如果打开一个网页用了3秒钟,您可能觉得体验非常好,但是如果这一时间变为3分钟呢?恐怕鲜有人会有心情去看一个3分钟之前要打开的页面。对于一个企业来说也是一样,如果自己的系统能够实时的响应自己所有请求,那么无疑这个企业能有更多的时间专注于业务上的创新,领先一步可能意味着占尽先机……《详细

比特观点

  • 比特网副总编袁斌

    闪存将取代磁盘成为下一代主流的存储介质,而全闪存阵列是未来闪存在数据中心应用最主要的方向,其意义大于其他形态的闪存解决方案。

  • 比特网首席记者宋家雨

    用SSD对磁盘进行简单替换,对于全闪存阵列来说,无异于削足适履。需要用户提高认识。性能只是全闪存阵列重新设计的一个重要因素而非全部。

  • 比特网存储编辑黄辉

    打开网页的时间为3分钟和3秒的不同在于,用户是否会获取这个页面的信息,我想这里的3分钟就意味着价值为0。全闪存再造实时分析速度的意义也在于此。

NAND颗粒种类

现在主流的SSD的最基本组成单元都是是NAND,NAND利用对cell的充放电来表示信息0和1,当下主要有SLC、MLC和TLC三种。不同种类、不同工艺、不同技术水平的NAND闪存在读写速率、耐擦写能力以及存储密度上存在较大差异。

Single Layer Cell 单层单元,存取原理上SLC架构是0和1两个充电值,即每Cell只能存取1bit数据,这种架构虽然简单,但是非常稳定。SLC的特点是成本高、容量小、速度快,而且SLC可以复写次数高达100000次。

Multi-Level Cell多层单元,MLC架构可以一次 储存4个以上的充电值,因此拥有比较好的存储密度。但是耐擦写能力和性能会低于SLC。为了保证MLC的寿命,控制芯片都需要有校验和智能磨损平衡技术算法。

Trinary-Level Cell三层单元。TLC架构可以在一个存储单元存上3个比特的信息。是三种主流NAND颗粒中容量最高的。另一方面,TLC耐擦写能力和性能也最低,现下阶段更多被用于U盘或者消费级闪存卡。

全闪存阵列的特点

相比传统磁盘阵列,全闪存阵列有诸多优势,在架构设计以及存储功能上也有很多新的技术。本节主要总结全闪存阵列的特点以及几项关键技术。
  • 高IOPS

    高IOPS是全闪存阵列首要的优势,当下主流的全闪存阵列均能在1U的设备中实现数十万的IOPS,这是主流中端阵列都无法达到的性能。

  • 低延迟

    低延迟是说应用发出读写请求得到得到响应的时间,由于没有磁头寻道的时间,所以全闪存阵列能够做到高IOPS的同时保证低延迟。

  • 低功耗

    SSD并没有机械部件,所以整个设备的能耗低于磁盘。进而全闪存阵列比同样性能的磁盘阵列要低很多。

  • 高成本

    由于制造工艺限制以及整个市场的不成熟,所以全闪存阵列每GB的成本仍高于磁盘阵列,成本是未来全闪存阵列需要解决的主要问题。

  • 分层技术

    戴尔Compellent闪存优化解决方案充分利用了分层技术将SLC与MLC做了分层,解决方案兼具SLC高速和耐擦写能力以及MLC的高存储密度、低成本优势。

  • 数据压缩

    IBM将数据压缩的技术应用于FlashSystem当中,使得写入闪存的数据量大大减少。一方面节省了全闪存阵列的使用,另一方面也提高了设备寿命。

  • 重复数据删除

    惠普在最新的全闪存阵列中加入了重复数据删除控制芯片,通过重复数据删除,写入闪存的数据量大大减少。

  • 读写优化

    这是每个全闪存阵列厂商都在做的一项工作,主要技术研发方向包括尽可能的将数据均匀写在不同的SSD上、优化资源回收技术等。

全闪存阵列风云汇 存储厂商

Dell Compellent闪存优化解决方案
Dell Compellent闪存优化解决方案配备SC220盘柜和增强型Storage Center 6.4固件,可提供全闪存或混合闪存存储。闪存优化解决方案旨在提供超高性能的低延迟存储,从而:
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·提升OLTP、ERP系统和其他I/O密集型工作负载的速度;
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·帮助将机架空间缩减高达84 %并将延迟减少高达90 %。

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