采用GAA技术,三星电子明年或将量产3纳米芯片

作者:潇冷 来源:原创 2021-10-12

  近日,三星电子宣布将于2022年上半年开始生产3纳米芯片。此前三星电子宣布将在明年上半年开始使用环栅 (GAA) 技术为客户生产3纳米 (nm) 芯片设计,并将在2023年量产第二代3纳米芯片,在2025年量产2纳米芯片。

  三星电子将使用 GAA 技术进行3纳米芯片生产,以提高充当半导体电流控制开关的晶体管的性能和效率。新的晶体管结构对于持续的工艺迁移至关重要,因为它提高了电源效率、性能和设计灵活性。

  与基于鳍式场效应晶体管 (FinFET) 的5纳米工艺相比,三星首个3纳米GAA工艺节点可将性能提升30%,将功耗降低50%,并将芯片面积减少35%。该公司计划将第三代 GAA 技术应用于将于2025年推出的2纳米工艺。

  台积电计划继续将 FinFET 技术应用到3纳米工艺中,并从2纳米工艺开始引入 GAA 技术。如果按照三星电子的计划,它将成为全球第一家量产3纳米半导体的代工厂。最初,台积电计划在2022年7月将3纳米工艺应用于英特尔的CPU 和 GPU的量产。

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