2022下半年生产 美光发布232层NAND闪存

  日前，美光宣布业内首创的232层3D NAND存储解决方案，并计划将之用于包括固态硬盘驱动器在内的各种产品线。

  在阵列下CMOS架构的加持下，美光得以将两个3D NAND阵列彼此堆叠。如果一切顺利，该公司有望于2022下半年开始增加232层3D TLC NAND闪存芯片的生产。

  结合CuA设计和232层NAND方案，有助于极大地缩减美光1Tb 3D TLC闪存芯片的尺寸，同时降低生产成本或提升利润率。

  但美光尚未披露232L 3D TLC NAND的IC面积和I/O速率，但暗示新闪存将具有比现有3D NAND设备更高的性能，推测可用于配备了PCIe 5.0接口的下一代SSD 。

  美光科技产品执行副总裁Scott DeBoer表示：“该公司的相关闪存设备将配备自研和第三方主控，同时他们会保持与其他开发人员保持密切的合作，以提供对于新闪存的适当支持。”

  该公司围绕业内领先的托管型NAND存储、以及数据中心/客户端SSD产品所需的技术进行了优化研发，且内外部控制器组合一直是其垂直产品集成的一个重要组成部分。

  最后，鉴于美光计划在2022下半年开启232层3D TLC NAND的生产，预计各类终端产品也会在2023年陆续上市。