维持技术优势 三星转投第六代11nm 1c DRAM芯片开发

作者:贾桂鹏 来源:原创 2022-04-15

  4月15日消息,据外媒报道,三星近期设立了一个新的目标,希望在今年6月前完成基于11nm工艺节点的第六代1c DRAM芯片的开发。

维持技术优势 三星转投第六代11nm 1c DRAM芯片开发

  据了解,该公司已要求自家研发人员停下或跳过基于12nm工艺节点的1b DRAM芯片的开发,期望扩大并维持与竞争对手的技术领先优势。

  不过,这不是三星首次作出类似的决定,此前这家韩国电子科技巨头曾放弃28nm DRAM、并全面转向25nm DRAM的生产。

  业内专家指出,11nm DRAM的生产并非易事。因其需要先进的技术作为支撑,而当前三星在1a DRAM(10nm级别的第4代内存产品)的量产上落后于两大竞争对手。

  在巨大的压力之下,报道称三星正希望找到一种方法来实现既定目标。

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