纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片,GaNSense新技术登场

作者:潇冷 来源:原创 2021-11-08

  11月8日,北京--氮化镓(GaN)功率芯片的行业领导者纳微半导体(Navitas Semiconductor)(纳斯达克股票代码:NVTS)宣布推出新一代采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片。GaNSense技术集成了关键、实时、智能的传感和保护电路,进一步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性,同时增加了纳微氮化镓功率芯片技术的节能和快充优势。

纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片,GaNSense新技术登场

  氮化镓(GaN)是下一代半导体材料,氮化镓器件的开关速度比传统的硅器件快20倍,在尺寸和重量减半的情况下,可实现高达3倍的功率和3倍的充电速度。纳微半导体的GaNFast™氮化镓功率芯片集成了氮化镓器件和驱动以及保护和控制功能,提供简单、小型、快速和高效的性能表现。

  GaNSense技术集成了对系统参数的实时、准确和快速感应,包括电流和温度的感知。这项技术实现了正在申请专利的无损耗电流感应能力。与前几代产品相比,GaNSense 技术可额外提高10%的节能效果,并能够进一步减少外部元件数量,缩小系统的尺寸。此外,如果氮化镓功率芯片识别到有潜在的系统危险,该芯片将迅速过渡到逐个周期的关断状态,以保护器件和周围系统。GaNSense技术还集成了智能待机降低功耗功能,在氮化镓功率芯片处于空闲模式时,自动降低待机功耗,有助于进一步降低功耗。这对越来越多积极追求环保的客户来说尤为重要。

  凭借业界最严格的电流测量精度和GaNFast响应时间,GaNSense技术缩短50%的危险时间,危险的过电流峰值降低50%。GaNFast氮化镓功率芯片单片集成提供了可靠的、无故障的操作,没有 "振铃",从而提高了系统可靠性。

  纳微半导体联合创始人兼首席运营官/首席技术官Dan Kinzer表示:“从检测到保护只需30纳秒,GaNSense技术比分立式的氮化镓功率芯片的实现方案快 600%。纳微半导体下一代采用GaNSense技术的GaNFast氮化镓功率芯片产品,对潜在的系统故障模式提供了高度准确和有效的防护。再加上对高达800V的瞬态电压的免疫力以及严格的栅极波形控制和电压调节,这些功能只有通过我们专有的工艺设计套件才能实现,重新定义了功率半导体中可靠性、坚固性和性能的新标准。”

  采用 GaNSense 技术的新一代纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片有十个型号,他们都集成了氮化镓功率器件、氮化镓驱动、控制和保护的核心技术,所有产品的额定电压为650V/800V,具有2kV ESD保护。新的GaNFast功率芯片的RDS(ON)范围为120至450毫欧,采用5 x 6 mm或6 x 8 mm PQFN封装,具有GaNSense保护电路和无损电流感应。作为纳微第三代氮化镓功率芯片,针对现代电源转换拓扑结构进行了优化,包括高频准谐振反激式(HFQR)、有源钳位反激式(ACF)和PFC升压,这些都是移动和消费市场内流行的提供最快、最高效和最小的充电器和适配器的技术方法。

  目标市场包括智能手机和笔记本电脑的快充充电器,估计每年有20亿美元的氮化镓市场机会,以及每年20亿美元的消费市场机会,包括一体机、电视、家庭网络和自动化设备。GaNSense技术已被用于部分一线消费电子品牌的氮化镓充电器上。

  到目前为止,已经有超过3000万颗纳微GaNFast氮化镓功率芯片出货,在现场测试实现了超过1160亿个设备小时,并且没有任何关于GaN现场故障的报告。与传统的硅功率芯片相比,每颗出货的GaNFast氮化镓功率芯片可以减少碳足迹 4-10 倍,可节省4千克的二氧化碳排放。

  采用GaNSense技术的新一代纳微GaNFast功率芯片将在以下活动中公开展示。

  · 11月8日: WiPDA 2021演讲(线上),演讲人:纳微半导体首席运营官/首席技术官和联合创始人,Dan Kinzer

  · 11月14日: 中国电源学会第二十四届学术年会的纳微半导体卫星会议(上海,线下),演讲人 纳微半导体应用工程总监,黄秀成博士

  · 11月18日: PSMA电力技术路线图演讲(线上),演讲人:纳微半导体首席运营官/首席技术官和联合创始人,Dan Kinzer

  采用GaNSense技术的新一代GaNFast氮化镓功率芯片已开始批量生产,并可立即供货。新的GaNSense技术的全部技术细节,包括数据表、鉴定数据、应用说明和样品,可在签署保密协议后提供给客户合作伙伴。

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