国内首条多材料光子芯片产线即将建成

  随着芯片技术升级迭代，光子芯片有望成为新一代信息领域的底层技术支撑。据悉，国内首条“多材料、跨尺寸”的光子芯片生产线已在筹备，预计将于2023年在京建成，可满足通信、数据中心、激光雷达、微波光子、医疗检测等领域需求，有望填补我国在光子芯片晶圆代工领域的空白。

  此前，上海印发《上海打造未来产业创新高地发展壮大未来产业集群行动方案》，提到围绕量子计算、量子通信、量子测量，积极培育量子科技产业，其中涉及的技术及器件中，就包括硅光子、光通讯器件、光子芯片等。

  据悉，光子芯片是光电子器件的核心组成部分，与集成电路芯片相比存在多处不同。例如：从性能而言，光子芯片的计算速度较电子芯片快约1000倍，且功耗更低;从材料而言，InP、GaAS等二代化合物半导体是光子芯片更为常用的材料，而集成电路一般采用硅片;从制备而言，光子芯片的制备流程与集成电路芯片存在一定相似性，但侧重点在于外延设计与制备环节，而非光刻环节。这也决定了光子芯片行业中，IDM模式是主流，有别于标准化程度高、行业分工明确的集成电路芯片。

  值得一提的是，相较于电子芯片，光子芯片对结构的要求较低，一般是百纳米级，因此降低了对先进工艺的依赖。中科鑫通总裁隋军也表示，光子芯片使用我国已相对成熟的原材料及设备就能生产，而不像电子芯片一样，必须使用EUV等极高端光刻机。

  据Gartner预测，到2025年全球光子芯片市场规模有望达561亿美元。